GaN SiC三代半功率器件測試設(shè)備

武漢普賽斯儀表有限公司 2026-02-25 17:20:49

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級擴(kuò)展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有優(yōu)秀的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。GaN SiC三代半功率器件測試設(shè)備就找普賽斯儀表,詳詢

GaN SiC三代半功率器件測試設(shè)備
GaN SiC三代半功率器件測試設(shè)備

產(chǎn)品特點(diǎn)
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(蕞大可擴(kuò)展至10kV)


具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))


高精度測量


nA級漏電流, μΩ級導(dǎo)通電阻


0.1%精度測量


模塊化配置


可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元


測試效率高


內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動切換電路與測量單元


支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試


擴(kuò)展性好


支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

GaN SiC三代半功率器件測試設(shè)備

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