板卡式功率半導(dǎo)體IGBT靜態(tài)參數(shù)測試機

普賽斯ATE-3146靜態(tài)測試機是一款專注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)；采用PXIe通信架構(gòu)方案，支持板卡靈活擴展與高精度電學(xué)特性分析；支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出，且蕞大可擴展至3500V、2000A；可與探針臺(Prober)、分選機(Handler)等外設(shè)聯(lián)機使用，應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)線KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分選測試。


產(chǎn)品特點：

單工站MOS DC IV參數(shù)測試UPH高達(dá)9K(注：單工站，7個DCIV測試項)

單臺主機支持3工站IV+CV或4工站IV并行測

專用于Si/SiCMOSFET、二極管、三極管、IGBT等KGD、DBC及FT測試

采用PXIe板卡架構(gòu)，可根據(jù)需求靈活搭配板卡實現(xiàn)精準(zhǔn)把控測試成本

單卡高達(dá)2G局部通信總線帶寬支持PXIe，TrigBus同步觸發(fā)支持高達(dá)8線局部總線同步

6U標(biāo)準(zhǔn)板卡兼容3U板卡

提供單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出能力

支持?jǐn)U展高壓、高流模組，蕞高可達(dá)3500V/2000A

內(nèi)置精密測量電路,實現(xiàn)pA級和uΩ級的精準(zhǔn)測量

CV測試中速模式下基本精度高達(dá)0.05%



測試項目

二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd

三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo

Si MOS/IGBT/SiCMOS/GaN FET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs




系統(tǒng)組成

?普賽斯ATE-3146靜態(tài)測試機，主要包括測試主機及板卡，測試夾具，工控機、上位機軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置高壓模塊，低壓模塊，高流模塊，電容模塊、高壓采集卡、DIO卡等。 配合探針臺Prober、分選機Handler可以實現(xiàn)KGD裸芯片，DBC測試，F(xiàn)T測試等。結(jié)合專用上位機測試軟件，可根據(jù)測試項目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，支持各類格式。詳詢一八一四零六六三四七六