非定點截面加工檢驗-湖北晶圓級FIB制樣TEM/SEM分析

【FinFET結構原子級表征案例】

FinFET作為先進制程核心結構，其柵極寬度與界面質量直接影響芯片性能。通過DB-FIB制備FinFET超薄切片，利用TEM獲得原子級形貌與晶格圖像。案例顯示，我們成功解析了3nm芯片中Fin的側壁粗糙度、柵氧層厚度與界面缺陷，為客戶提供工藝優(yōu)化依據(jù)。【廣電計量SEM/TEM測試服務】涵蓋晶圓級制造與失效分析，結合EDS進行成分映射，全面支撐高端芯片研發(fā)與量產(chǎn)。

【FIB窗簾效應消除技術優(yōu)勢】
窗簾效應是FIB制樣中常見的圖像偽影問題，影響TEM觀察精度。廣電計量擁有專利技術，通過優(yōu)化離子束掃描策略與樣品傾轉，有效消除該效應。該方法已應用于多種敏感材料，如有機半導體與鋰電電極，獲得無失真高分辨圖像?！緩V電計量電鏡掃描測試】持續(xù)創(chuàng)新制樣工藝，確保每一份TEM數(shù)據(jù)的真實性與可靠性。

【脆性材料FIB階梯減薄技術應用】
碳化硅、氮化鋁等脆性材料在FIB加工中易開裂，影響制樣成功率。采用階梯減薄法，通過逐層濺射與低劑量拋光，控制應力集中，獲得完整超薄切片?！緩V電計量電鏡掃描測試】該專利技術已用于功率器件與射頻元件分析，結合TEM實現(xiàn)界面與缺陷表征，為客戶提供高難度樣品的解決方案。