超薄樣品切片服務(wù)-掃描電鏡tem

【DB-FIB TEM超薄樣品切片服務(wù)】

雙束聚焦離子束（DB-FIB）顯微鏡是制備透射電子顯微鏡（TEM）超薄樣品的核心工具?！緩V電計(jì)量SEM/TEM測(cè)試服務(wù)】針對(duì)硅基芯片提供截面（XS）與平面（PV）制樣服務(wù)，覆蓋14nm及以下先進(jìn)制程至55nm等傳統(tǒng)節(jié)點(diǎn)。通過高精度離子束濺射，我們實(shí)現(xiàn)納米級(jí)薄片切割，厚度可控制在100nm以內(nèi)，確保電子束穿透并獲取高分辨圖像。該服務(wù)廣泛應(yīng)用于芯片工藝驗(yàn)證、缺陷定位與材料分析，尤其適用于FinFET、金屬互聯(lián)等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的表征。廣電計(jì)量擁有標(biāo)準(zhǔn)化流程與CNAS認(rèn)證平臺(tái)，保障制樣效率與數(shù)據(jù)可靠性，助力客戶突破制程瓶頸。

【先進(jìn)制程芯片F(xiàn)IB-TEM集成分析】
隨著芯片制程進(jìn)入7nm及以下節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)顯微技術(shù)難以滿足納米級(jí)結(jié)構(gòu)解析需求。通過DB-FIB制備超薄樣品，結(jié)合TEM實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨率成像與成分分析。服務(wù)重點(diǎn)針對(duì)金屬層、M0層、FinFET等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，用于工藝穩(wěn)定性驗(yàn)證、競品分析與逆向工程?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】擁有消除窗簾效應(yīng)、階梯減薄等專利技術(shù)，確保樣品無損與圖像清晰。該服務(wù)已成為國內(nèi)晶圓廠與設(shè)計(jì)公司不可或缺的技術(shù)支撐。

【脆性材料FIB階梯減薄技術(shù)應(yīng)用】
碳化硅、氮化鋁等脆性材料在FIB加工中易開裂，影響制樣成功率。采用階梯減薄法，通過逐層濺射與低劑量拋光，控制應(yīng)力集中，獲得完整超薄切片?！緩V電計(jì)量電鏡掃描測(cè)試】該專利技術(shù)已用于功率器件與射頻元件分析，結(jié)合TEM實(shí)現(xiàn)界面與缺陷表征，為客戶提供高難度樣品的解決方案。