掃描電鏡tem-產(chǎn)學研合作

【非硅基材料FIB制樣與TEM分析】

除硅基芯片外，DB-FIB服務擴展至砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等非硅基材料。這類材料通常具有高硬度、熱敏感或易損傷特性，需按小時計費定制化制樣?！緩V電計量電鏡掃描測試】通過優(yōu)化離子束能量與掃描策略，實現(xiàn)精準截面或平面加工，避免材料相變或結(jié)構破壞。結(jié)合TEM分析，可解析界面缺陷、晶格畸變與成分分布，廣泛應用于功率器件、光電子元件與新型半導體研發(fā)。廣電計量以技術積累與全流程管控，為客戶提供高適配性解決方案。

【FA熱點截面分析一站式服務】
失效分析（FA）中，熱點定位與截面表征是診斷芯片異常的關鍵。廣電計量集成OBIRCH等熱點抓取技術與DB-FIB截面加工，提供一站式分析服務。【廣電計量SEM/TEM測試服務】通過離子束精準切割熱點區(qū)域，結(jié)合SEM/TEM觀察，可揭示短路、漏電、層間缺陷等微觀問題。服務覆蓋Wafer、IC、MEMS、激光器等半導體器件，按小時計費，高效響應客戶需求。我們憑借先進制程經(jīng)驗與多方法融合能力，幫助客戶快速定位故障根源，提升產(chǎn)品良率與可靠性。

【先進制程芯片F(xiàn)IB-TEM集成分析】
隨著芯片制程進入7nm及以下節(jié)點，傳統(tǒng)顯微技術難以滿足納米級結(jié)構解析需求。通過DB-FIB制備超薄樣品，結(jié)合TEM實現(xiàn)原子級分辨率成像與成分分析。服務重點針對金屬層、M0層、FinFET等關鍵結(jié)構，用于工藝穩(wěn)定性驗證、競品分析與逆向工程?！緩V電計量電鏡掃描測試】擁有消除窗簾效應、階梯減薄等專利技術，確保樣品無損與圖像清晰。該服務已成為國內(nèi)晶圓廠與設計公司不可或缺的技術支撐。