掃描電鏡tem-超薄樣品切片服務

【FinFET結構原子級表征案例】

FinFET作為先進制程核心結構，其柵極寬度與界面質量直接影響芯片性能。通過DB-FIB制備FinFET超薄切片，利用TEM獲得原子級形貌與晶格圖像。案例顯示，我們成功解析了3nm芯片中Fin的側壁粗糙度、柵氧層厚度與界面缺陷，為客戶提供工藝優(yōu)化依據(jù)?！緩V電計量SEM/TEM測試服務】涵蓋晶圓級制造與失效分析，結合EDS進行成分映射，全面支撐高端芯片研發(fā)與量產。

【不耐輻照樣品的預處理方法】
部分有機物或柔性材料在離子束下不穩(wěn)定，制約FIB應用。預處理方法包括低溫固定、導電涂層與低電壓掃描，提升樣品耐輻照性。服務覆蓋新型顯示材料、生物傳感器等領域，按小時報價?！緩V電計量SEM/TEM測試服務】以多技術融合能力，拓展DB-FIB在跨行業(yè)中的應用邊界。

【產學研合作與行業(yè)標準貢獻】
積極與南京大學、上海交大等高校合作，聯(lián)合編寫《聚焦離子束：應用與實踐》等專業(yè)著作，推動FIB技術標準化與普及。參與行業(yè)標準制定，推動設備與材料國產化，構建自主可控的檢測生態(tài)?！緩V電計量電鏡掃描測試】該合作不僅提升技術深度，還強化了在行業(yè)中的影響力與公信力。